IRLR7807ZCTRPBF 时间：2025/12/26 19:34:56 阅读：18

IRLR7807ZCTRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高密度电源转换应用设计。该器件封装在小型的TO-252（D-Pak）表面贴装封装中，适用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场景。IRLR7807ZCTRPBF具备优良的热性能和电流处理能力，能够在较高的环境温度下稳定运行。其主要特点包括低栅极电荷、低输入电容以及优异的雪崩能量承受能力，使其成为开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具有无卤素版本，满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。得益于其优化的参数设计，IRLR7807ZCTRPBF能够在低电压控制电路中实现高效能表现，尤其适合由电池供电或强调能效的系统使用。

参数

型号：IRLR7807ZCTRPBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：94A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：376A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ @ Vgs=10V, 5.7mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2350pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（Pd）：200W（Tc=25°C）

特性

IRLR7807ZCTRPBF采用了英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构能够显著降低导通电阻（Rds(on)），同时提升单位面积内的电流承载能力。其4.7mΩ的超低Rds(on)在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效减少了导通损耗，提高了系统整体效率。该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。其快速的开关速度和短小的反向恢复时间（trr=28ns）进一步提升了在硬开关拓扑中的表现，减少交叉导通风险。
　　该MOSFET的热阻特性优秀，结到外壳的热阻（RthJC）仅为0.625°C/W，配合良好的PCB散热设计，可确保在大电流工况下维持较低的工作结温。器件支持高达94A的连续漏极电流，在瞬态负载条件下还能承受最高376A的脉冲电流，表现出卓越的过载能力。此外，IRLR7807ZCTRPBF具备较强的雪崩耐量，能够在感性负载断开时承受电压尖峰，提高系统可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业、汽车及恶劣环境下的应用。
　　TO-252封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模制造。引脚兼容性强，便于替换其他厂商的同类产品。该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保长期使用的稳定性。内置的体二极管具有较低的正向压降和较快的恢复特性，适用于续流或反向电流路径的应用场景。综合来看，IRLR7807ZCTRPBF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于高频率、高效率的电源转换系统。

应用

广泛应用于各类中高功率电源系统，包括但不限于同步整流型DC-DC降压变换器、半桥与全桥拓扑中的开关元件、电机驱动电路中的低端或高端开关、热插拔控制器中的负载开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块、服务器和通信设备的板级电源管理单元。此外，该器件也常见于便携式电子设备的电源适配器、LED驱动电源、UPS不间断电源以及太阳能逆变器中的功率级电路。由于其出色的动态响应和低损耗特性，在电动汽车车载充电机（OBC）和辅助电源系统中也有潜在应用价值。工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器替代电路以及智能电表的电源部分同样可受益于该MOSFET的高性能表现。其表面贴装封装形式特别适合需要紧凑布局和自动化生产的现代电子产品设计。