IRLR6225是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。其小型化的封装设计使得它在空间受限的应用中非常实用。
型号:IRLR6225
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(V_DS):30V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):48A
导通电阻(R_DS(on)):2.7mΩ @ V_GS=10V
总功耗(P_TOT):115W
工作结温范围(T_J):-55°C 至 +175°C
IRLR6225具备极低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提升了整体效率。此外,其快速开关速度可有效降低开关损耗,在高频应用中表现优异。该器件还具有较高的雪崩能力和鲁棒性,确保了在异常条件下的可靠性。
主要特点包括:
- 极低的R_DS(on),有助于减少功率损耗
- 快速开关能力,适合高频应用
- 高效的热性能
- 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境
- 符合RoHS标准,环保无铅
IRLR6225广泛应用于多种领域,例如电机驱动、DC/DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)以及电池管理系统等。凭借其卓越的性能,该器件非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电力电子设备中。同时,它也常被用作同步整流器或负载开关中的关键组件。
IRLZ44N, IRL540N