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IRLR4343TRPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:20:57 查看 阅读:13

IRLR4343TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于高频开关应用中。其封装形式为TO-252 (DPAK),具有较高的电流承载能力和良好的散热性能。
  这种MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电源管理等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:7nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLR4343TRPBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适用于高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 栅极电荷较低,可减少驱动功耗。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  6. 良好的热性能,能够承受较大的功率损耗。
  7. 工作温度范围宽广,适合各种恶劣环境下的应用。

应用

IRLR4343TRPBF通常被应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 汽车电子系统的负载开关。
  5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
  6. 高效能电池管理系统(BMS)。
  7. 照明设备中的调光与驱动电路。

替代型号

IRLR4343GTRPBF, IRLR4343DPBF

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IRLR4343TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 4.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds740pF @ 50V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)