型号：IRLR3715ZTRPF
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：48A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：190A
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1370pF @ VDS = 15V
　　输出电容(Coss)：470pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间(trr)：26ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

IRLR3715ZTRPF采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在高频率开关电源应用中表现出色。该器件的低RDS(on)特性使其在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提升系统效率并减少发热。其RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在VGS=4.5V时为11mΩ，表明其在逻辑电平驱动下也能良好工作，适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接减少了驱动电路所需的能量，并缩短了开关过渡时间，从而降低开关损耗，特别适用于高频DC-DC变换器如Buck、Boost和同步整流拓扑。此外，其输入电容（Ciss）为1370pF，输出电容（Coss）为470pF，在保证快速响应的同时避免了过高的容性负载对驱动电路的压力。
　　器件具备良好的热稳定性，结温最高可达+150°C，支持在严苛环境下长期稳定运行。其反向恢复时间（trr）为26ns，配合体二极管的快速恢复特性，可有效减少在桥式电路或续流路径中的反向恢复损耗，提升系统可靠性。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较强的散热能力，可通过PCB铜箔进行有效热传导。
　　此外，该器件通过了工业级可靠性测试，具备出色的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定。其符合RoHS指令，无铅且环保，适用于消费电子、工业控制、通信电源和便携式设备等多种领域。总体而言，IRLR3715ZTRPF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率与小尺寸设计的现代电源系统。

IRLR3715ZTRPF广泛应用于需要高效能、低损耗功率开关的各种电子系统中。典型应用包括同步降压（Buck）转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下管使用，能够有效降低导通损耗并提升转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合用于由微控制器、DSP或专用PWM控制器直接驱动的开关电源设计。
　　在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离与非隔离拓扑结构中的主开关或同步整流器，尤其在中等功率等级（如数十瓦至百瓦级）的电源中表现优异。其快速开关特性和低栅极电荷使其在高频率操作下仍能保持较低的开关损耗，适用于MHz级开关频率的设计。
　　此外，该MOSFET也常用于电机驱动电路，例如在直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动中作为功率开关元件，提供快速响应和低功耗控制。在电池管理系统（BMS）或负载开关应用中，IRLR3715ZTRPF可作为通断控制开关，实现低静态功耗和高负载能力。
　　在消费类电子产品如笔记本电脑、平板电源、USB-PD充电器、LED驱动电源中，该器件凭借其小型化封装和高效性能，成为理想选择。同时，工业自动化设备、PLC模块、电信电源系统等对可靠性要求较高的场合也广泛采用此类器件。其TO-252封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。

IRLR3715PBF
　　IRLR3715
　　FDD3715S