IRLR3715CPBF 时间：2025/7/12 1:11:08 阅读：8

IRLR3715CPBF是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于各种高效能电源管理应用。它主要应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等场景。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大连续漏极电流：82A
　　导通电阻：2.6mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　总电容：203pF
　　功耗：19W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

IRLR3715CPBF具备非常低的导通电阻，能够显著减少导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　其封装形式为TO-220-3L，散热性能优越，适合高功率密度的应用环境。
　　此外，该器件具有较高的雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　快速开关特性和较低的栅极电荷使得IRLR3715CPBF在高频应用中表现优异。

应用

该MOSFET广泛用于高性能开关模式电源(SMPS)设计中，包括但不限于以下领域：
　　1. 电信设备中的负载开关和DC-DC转换模块。
　　2. 工业自动化中的电机驱动电路。
　　3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
　　4. 高效照明系统的调光控制和电子镇流器。
　　5. 各类消费电子产品的适配器和充电器。