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IRLR3705ZPBF 发布时间 时间:2025/6/19 19:11:24 查看 阅读:4

IRLR3705ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的 N 沱道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术,提供极低的导通电阻和快速开关性能。这种特性使得 IRLR3705ZPBF 非常适合在高频开关应用中使用,如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动等。
  该器件封装形式为 PowerPAK 8x8 封装,具有较小的占位面积和良好的热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:46A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):9nC
  总电容(输入电容):2080pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRLR3705ZPBF 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 1.2mΩ,这极大地减少了传导损耗,并提高了效率。
  此外,其 9nC 的低栅极电荷也保证了快速的开关速度,从而减少开关损耗。
  PowerPAK 8x8 封装提供了优异的散热性能,同时保持了小型化的优点。
  该器件还具备出色的雪崩能力和较高的可靠性,使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
  由于采用了沟槽式 MOSFET 技术,IRLR3705ZPBF 具有更低的寄生电感和更小的封装尺寸,非常适合于高密度电路设计。

应用

IRLR3705ZPBF 广泛应用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
  2. 降压或升压型 DC-DC 转换器
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
  4. 工业自动化设备中的负载切换
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理
  6. 各种电池充电管理系统中的功率开关
  这些应用场景都受益于其高效、快速和可靠的性能。

替代型号

IRLR3706SPBF, IRLR3707SPBF, IRLR3708SPBF

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IRLR3705ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLR3705ZPBF