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IRLR3114ZTRPBF 发布时间 时间:2025/5/30 23:13:46 查看 阅读:20

IRLR3114ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用TOLL封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载切换等领域。
  该器件设计用于要求高效能和高可靠性的应用场合,其工作电压范围宽广,可满足多种电路需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关时间:典型值ton=10ns,toff=15ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRLR3114ZTRPBF具备非常低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  其优化的栅极电荷和快速开关时间使其在高频应用中表现出色。
  TOLL封装不仅提供了卓越的散热性能,还增强了器件的电气特性和机械稳定性。
  该器件具有良好的雪崩能力和较高的抗电磁干扰性能,适用于严苛的工作环境。
  此外,它支持逻辑电平驱动,可以与大多数微控制器或数字信号处理器直接连接,简化了设计流程。

应用

IRLR3114ZTRPBF主要应用于以下领域:
  直流无刷电机驱动(BLDC电机)
  工业电源模块
  电动汽车充电设备
  不间断电源(UPS)系统
  太阳能逆变器
  消费类电子产品中的高效负载切换

替代型号

IRLR3106S,
  NTMFS4936NT1G,
  AON7543L,
  FDMC8621

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IRLR3114ZTRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.9 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3810pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR3114ZTRPBFTR