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IRLR3110ZTRPBF 发布时间 时间:2023/3/8 11:13:30 查看 阅读:398

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

   

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:逻辑电平门

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:14 毫欧 @ 38A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:42A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 100μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:48nC @ 4.5V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3980pF @ 25V

    功率 - 最大:140W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:D-Pak


资料

厂商
Infineon / IR

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IRLR3110ZTRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 38A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3980pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)