IRLR3103TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。该器件专为低电压应用设计,具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并降低功耗。其封装形式为 TO-252 (DPAK),非常适合用于负载开关、电机驱动、同步整流以及 DC-DC 转换器等应用。
型号:IRLR3103TR
类型:N 沟道增强型 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg):7nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
IRLR3103TR 的主要特点是具备非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它能够在高电流下保持较低的功耗,从而提升整体系统效率。
其次,其栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度,同时减少开关损耗。
此外,该器件采用了逻辑电平驱动设计,这意味着它可以与低电压逻辑电路直接兼容,例如 3.3V 或 5V 的微控制器输出信号。
它的封装形式为 DPAK,这种封装散热性能良好,同时体积较小,适合紧凑型设计需求。
最后,由于 IRLR3103TR 的耐压能力达到 30V,因此在多种低压应用场景中都能可靠运行。
IRLR3103TR 广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场合,具体包括以下领域:
- 负载开关:用于控制各种负载的接通和断开。
- 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动。
- 同步整流:在开关电源中用作同步整流管以提高效率。
- DC-DC 转换器:作为功率开关用于降压、升压或反激式转换器。
- 电池管理:如保护电路、充放电控制等。
- 消费类电子产品:如智能手机充电器、平板电脑适配器等设备中的功率转换模块。
IRLZ34N, FDP16N03L, AO3400