IRLR2703TRPBF. 时间：2025/12/26 21:16:42 阅读：10

IRLR2703TRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术和硅基工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景。IRLR2703TRPBF封装在小型的DirectFET? S340封装中，这种封装形式不仅减小了PCB占用面积，还通过优化散热路径提高了器件的功率密度。其主要目标市场包括DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等高效率要求的应用场合。该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备无铅（Lead-free）特性，适合现代绿色电子产品的需求。由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计，IRLR2703TRPBF广泛应用于通信设备、工业控制系统、消费类电子及计算机主板电源模块中。

参数

型号：IRLR2703TRPBF
　　类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：62A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：210A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on) max：8.5mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻RDS(on) max：11mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：19nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：920pF @ VDS = 15V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：17ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DirectFET? S340
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功耗（PD）：46W

特性

IRLR2703TRPBF采用英飞凌先进的沟槽栅极MOSFET技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。其超低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为8.5mΩ，能够在大电流条件下有效减少I2R损耗，降低温升，提高系统的可靠性与能效表现。该器件具有出色的热传导性能，得益于DirectFET? S340封装结构，其顶部和底部均可用于散热，极大增强了热循环能力和长期运行稳定性。此外，该封装减少了寄生电感和电阻，有助于实现更快的开关速度和更低的电磁干扰（EMI），特别适用于高频开关电源设计。
　　该MOSFET具备良好的栅极抗扰度和静电放电（ESD）保护能力，能够承受一定的过压冲击而不损坏，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。其快速开关特性使得它非常适合用于同步整流拓扑中，如Buck、Boost或半桥电路，能够显著提升转换效率并缩小外围滤波元件尺寸。器件的输入电容较低，仅约920pF，配合19nC的栅极电荷，使其驱动功耗小，兼容常见的PWM控制器驱动输出。同时，宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）保证了其在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　IRLR2703TRPBF的设计注重可靠性与可制造性，支持回流焊工艺，且具有优异的机械强度和耐湿性，符合现代自动化生产流程的要求。其无铅、无卤素的环保特性满足国际环保法规要求，适用于出口型电子产品。综合来看，这款MOSFET以其高性能、小尺寸和高可靠性，在中低压大电流开关应用中展现出强大的竞争力。

应用

主要用于DC-DC转换器中的同步整流电路，尤其适用于服务器、笔记本电脑和台式机的VRM（电压调节模块）；也广泛应用于电池管理系统、电机驱动控制、热插拔电源开关、LED驱动电源以及各类高效率开关电源拓扑中。其高频响应能力和低导通损耗使其成为通信电源和便携式设备的理想选择。此外，还可用于UPS不间断电源、工业电源模块和汽车辅助电源系统等对空间和效率有严格要求的领域。