IRLR1705TR 时间：2025/12/26 19:56:47 阅读：9

IRLR1705TR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅极和硅基技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在高密度和高性能的电子系统中使用。IRLR1705TR封装形式为TO-252（DPAK），是一种表面贴装型封装，便于自动化生产和散热设计，适用于需要紧凑布局和良好热性能的应用场景。该MOSFET在低电压应用中表现出色，尤其适合工作在12V至30V范围内的电源系统。其主要优势在于能够有效降低传导损耗，提高整体系统效率，并减少对外部散热装置的依赖。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换过程中的可靠性。由于其优异的电气特性和封装设计，IRLR1705TR常被用于笔记本电脑电源、服务器电源、电池管理系统、LED驱动电源以及各类工业控制设备中。

参数

型号：IRLR1705TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：55 V
　　最大连续漏极电流（Id）：48 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：190 A
　　最大功耗（Pd）：106 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022 Ω @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.027 Ω @ Vgs = 4.5 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：2060 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：56 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　极性：N-Channel

特性

IRLR1705TR采用了英飞凌成熟的沟道MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为22毫欧，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提升了系统的整体能效。其低Rds(on)特性使其非常适合用于高电流开关电源中，如同步整流DC-DC变换器，可有效减少发热并提升功率密度。该器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达48A，脉冲电流高达190A，使其能够在瞬态负载变化下保持稳定运行，适用于电机启动、电池充放电等动态工况。
　　该MOSFET具有优良的开关性能，输入电容（Ciss）约为2060pF，在高频开关应用中能够实现快速的栅极驱动响应，降低开关延迟和上升/下降时间，从而减少开关损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr=56ns）意味着体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少，有助于降低与之配对的MOSFET在桥式电路中的直通风险，提升系统可靠性。这对于半桥或全桥拓扑结构中的应用尤为重要。
　　IRLR1705TR采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热传导性能，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量有效散发，适合表面贴装自动化生产。该封装在保持小型化的同时提供了足够的机械强度和电气隔离能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境温度下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，该MOSFET具备一定的雪崩耐量，能够在电压瞬变或感性负载突变时承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。

应用

IRLR1705TR广泛应用于多种高效率电源系统中。常见用途包括同步整流式DC-DC降压转换器，特别是在主板供电、CPU核心电压调节模块（VRM）以及笔记本电脑电源管理单元中，利用其低导通电阻和高开关速度来实现高效能量转换。在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式储能设备，该器件可用于电池保护电路和充放电控制回路，提供低损耗的开关路径。
　　在电机驱动领域，IRLR1705TR可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，作为高端或低端开关元件，实现精确的速度和方向控制。其高电流能力和快速响应特性有助于提升电机的动态性能和效率。此外，在LED照明电源中，特别是大功率LED驱动器中，该MOSFET可用作主开关或调光控制开关，支持PWM调光并保持高光效。
　　工业电源、服务器电源和通信电源模块也常采用此类器件进行功率级设计。其表面贴装封装有利于实现高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。在太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源设备中，IRLR1705TR也可用于辅助电源或局部功率控制电路。由于其良好的热性能和可靠性，该器件同样适用于车载电子系统中的非安全关键类电源模块。