时间：2025/6/24 15:57:26
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IRLR120NTR 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景中。
其采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，能够提供出色的热性能和电气性能。由于其低门极电荷和低导通电阻特性，IRLR120NTR 特别适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：49A
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：61W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLR120NTR 提供了非常低的导通电阻，使其能够在高电流应用中减少传导损耗并提高效率。
该器件的快速开关性能有助于降低开关损耗，并且在高频工作条件下表现出色。
具备较低的栅极电荷，从而减少了驱动电路的负担。
由于采用了 DPAK 封装，IRLR120NTR 具备良好的散热能力，支持更高的功率密度。
此外，它还拥有较宽的工作温度范围，确保在各种环境条件下的稳定性与可靠性。
IRLR120NTR 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 高效逆变器和功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
IRLZ44N, AO3400A
