型号：IRLR110A
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：100V
　　连续漏极电流(Id)：11A
　　脉冲漏极电流(Idm)：44A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：135mΩ @ Vgs=10V, Id=5.5A
　　导通电阻(Rds(on))：180mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5.5A
　　阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ Vds=50V
　　输出电容(Coss)：140pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间(trr)：36ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

IRLR110A具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为135mΩ，而在Vgs=4.5V时也仅为180mΩ，这表明即使在较低的驱动电压下，器件依然能够保持较低的导通损耗，特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如微控制器控制的开关电路或电池供电设备中的电源管理模块。这种低Rds(on)特性显著降低了导通期间的I2R损耗，提高了系统的整体能效，并减少了散热需求，有利于小型化设计。
　　其次，IRLR110A采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时增强了器件的热稳定性。沟槽技术还有效降低了寄生电容，从而改善了开关速度。其输入电容（Ciss）为400pF，输出电容（Coss）为140pF，在100V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动IC的负担并提升开关频率上限，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。
　　再者，该器件具有良好的热性能。TO-252封装不仅支持表面贴装，还具备较强的散热能力，通过PCB上的铜箔即可实现有效的热量传导。其最大工作结温高达+175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。此外，IRLR110A的阈值电压范围为2V至4V，适配多种驱动电平，避免了因阈值过高导致开启困难的问题，同时也防止了因过低而引发误触发的风险。
　　最后，其内置的体二极管具有36ns的反向恢复时间，虽然并非专为超快恢复设计，但在大多数非谐振拓扑中已足够使用，特别是在DC-DC变换器和H桥电机驱动中可提供可靠的续流路径。综合来看，IRLR110A凭借其低导通电阻、优良的开关特性、稳健的热性能和广泛的适用性，成为中功率电源系统中的理想选择。

IRLR110A广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效、紧凑设计的中等功率开关电路。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于降压（Buck）、升压（Boost）以及反激式（Flyback）拓扑结构中作为主开关或同步整流器，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并减少发热。在DC-DC转换器模块中，特别是那些用于服务器、网络设备和嵌入式系统的板载电源，IRLR110A因其高可靠性和良好的热性能而备受青睐。
　　在电机控制领域，该器件可用于直流电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转和调速功能。其11A的连续电流能力和44A的脉冲电流能力足以应对大多数中小型电机的启动和运行电流需求。同时，其快速响应特性有助于实现精确的PWM控制，提升控制精度和平稳性。
　　此外，IRLR110A也常见于负载开关和热插拔电路中，用于控制电源通断，防止浪涌电流冲击。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电通路的控制开关，配合保护IC实现过流、短路等异常状态下的快速切断。在LED驱动电源中，尤其是在恒流驱动方案中，该MOSFET可用于调节输出电流或作为开关元件参与调光控制。
　　由于其TO-252封装体积适中且易于焊接，IRLR110A也被广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、LCD电视电源板、打印机电源模块以及工业仪器仪表的内部供电单元。总之，凡是对效率、尺寸和成本有综合考量的100V级功率开关应用，IRLR110A均是一个极具竞争力的解决方案。

IRLR110LP
　　IRLZ110PbF
　　FQP11N10
　　STP11NF10
　　NDS110AP