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IRLR014TRPBF 发布时间 时间:2025/6/6 16:33:09 查看 阅读:21

IRLR014TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3L封装形式,主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。IRLR014TRPBF具有非常低的导通电阻以及快速开关特性,非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及电池供电设备等应用。
  这款MOSFET因其出色的电气性能和可靠性,在工业控制、消费电子和汽车领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:79A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.4mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:2500pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-263-3L

特性

IRLR014TRPBF具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下有效减少功耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 较宽的工作温度范围使其在极端环境下依然能够保持稳定性能。
  4. 逻辑电平驱动能力简化了电路设计,无需额外的栅极驱动电路。
  5. 高可靠性,符合严格的工业和汽车标准要求。

应用

IRLR014TRPBF广泛适用于多种应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 各类电机驱动电路中作为功率开关使用。
  3. 负载切换与保护功能,例如电池管理系统中的充放电路径控制。
  4. 汽车电子系统,如电动助力转向、制动控制单元以及其他车身控制系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

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IRLR014GPBF, IRLR014NTRPBF

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IRLR014TRPBF参数

  • 数据列表IRLR014PBF, IRLU014PBF
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR014PBFTR