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IRLMS4502TR 发布时间 时间:2025/5/8 13:59:15 查看 阅读:4

IRLMS4502TR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-263-7封装形式,适用于各种功率转换和开关应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力等特性,非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率管理的场合。
  这款MOSFET的工作电压范围宽广,能够承受较高的漏源极电压,并且具备优秀的热稳定性和可靠性。其逻辑电平驱动设计使得它可以与大多数微控制器或数字电路直接连接,从而简化了系统设计。

参数

最大漏源电压:45V
  最大连续漏极电流:18A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):1.9mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRLMS4502TR是一款高性能的MOSFET,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受力。
  4. 逻辑电平驱动兼容性,方便与多种控制信号接口连接。
  5. 热稳定性好,能够在高温环境下长期可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得IRLMS4502TR成为许多电力电子应用的理想选择。

应用

IRLMS4502TR广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的桥臂开关。
  3. 各类负载开关和保护电路。
  4. 开关电源(SMPS)的设计。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的电池管理与配电控制。
  由于其优异的性能和广泛的适应性,IRLMS4502TR在消费电子、工业控制以及汽车电子等多个行业都有重要应用。

替代型号

IRLZ44N, FDP5500, AO3400

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IRLMS4502TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 5.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
  • 包装带卷 (TR)