时间：2025/5/28 9:03:16
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IRLMS1902TR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装，适合在空间受限的应用中使用。由于其低导通电阻和快速开关性能，IRLMS1902TR被广泛用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电应用中的功率管理电路。
这款MOSFET具有低至45mΩ的最大导通电阻（Rds(on)），这使得它能够高效地传导电流并减少功率损耗。同时，其逻辑电平驱动能力允许直接连接微控制器或其他数字逻辑电路，而无需额外的门极驱动电路。
最大漏源电压(Vdss)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.7A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ (Vgs=4.5V), 65mΩ (Vgs=2.5V)
栅极电荷(Qg)：5nC
总功耗(Ptot)：340mW
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装类型：SOT-23
1. 小型化封装，节省PCB空间。
2. 低导通电阻设计，提高能效并减少发热。
3. 支持逻辑电平驱动，简化电路设计。
4. 快速开关速度，降低开关损耗。
5. 高度可靠，适用于各种消费类电子及工业控制领域。
1. 便携式电子产品中的负载开关。
2. DC-DC转换器及低压电源管理。
3. 电池保护与充电管理电路。
4. 信号切换和功率级控制。
5. 消费类电子产品的电源分配与管理。
IRLML2502, IRLML6402, BSS138
