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IRLMS1902TR 发布时间 时间:2025/5/28 9:03:16 查看 阅读:10

IRLMS1902TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适合在空间受限的应用中使用。由于其低导通电阻和快速开关性能,IRLMS1902TR被广泛用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电应用中的功率管理电路。
  这款MOSFET具有低至45mΩ的最大导通电阻(Rds(on)),这使得它能够高效地传导电流并减少功率损耗。同时,其逻辑电平驱动能力允许直接连接微控制器或其他数字逻辑电路,而无需额外的门极驱动电路。

参数

最大漏源电压(Vdss):20V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):1.7A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ (Vgs=4.5V), 65mΩ (Vgs=2.5V)
  栅极电荷(Qg):5nC
  总功耗(Ptot):340mW
  结温范围(Tj):-55℃ to +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

1. 小型化封装,节省PCB空间。
  2. 低导通电阻设计,提高能效并减少发热。
  3. 支持逻辑电平驱动,简化电路设计。
  4. 快速开关速度,降低开关损耗。
  5. 高度可靠,适用于各种消费类电子及工业控制领域。

应用

1. 便携式电子产品中的负载开关。
  2. DC-DC转换器及低压电源管理。
  3. 电池保护与充电管理电路。
  4. 信号切换和功率级控制。
  5. 消费类电子产品的电源分配与管理。

替代型号

IRLML2502, IRLML6402, BSS138

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IRLMS1902TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
  • 包装带卷 (TR)