IRLMS1902 时间：2025/12/26 18:54:52 阅读：20

IRLMS1902是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低电压应用设计。该器件封装在微型的PowerPAIR 1.6 x 1.6 mm DFN（双扁平无引脚）封装中，具有极低的导通电阻和优良的热性能，适用于空间受限的便携式电子设备。IRLMS1902能够在低栅极驱动电压下工作，支持逻辑电平输入，因此可直接由微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路。其主要优势在于在小尺寸封装内实现了高性能的开关特性和导通能力，适合用于电池供电系统中的负载开关、电源管理模块以及DC-DC转换器等应用。
　　该器件符合RoHS标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色产品特性，适用于现代环保要求较高的电子产品。此外，DFN封装提供了优异的散热性能，通过PCB上的热焊盘可有效将热量传导至外部环境，从而提升整体可靠性。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，IRLMS1902广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对尺寸和能效有严格要求的消费类电子产品中。

参数

型号：IRLMS1902
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@Tc=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻RDS(on)：32mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：38mΩ（@VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：170pF（@VDS=-10V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：PowerPAIR DFN 1.6x1.6mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

IRLMS1902采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在低电压、大电流的应用场景中表现出色。其RDS(on)在-4.5V的栅极驱动电压下仅为32mΩ，在更常见的-2.5V逻辑电平驱动条件下也仅为38mΩ，这意味着即使在电池电压逐渐下降的情况下，器件仍能保持较低的导通损耗，提高系统整体效率。这一特性对于延长便携式设备的电池续航至关重要。此外，低RDS(on)有助于减少发热，降低对散热设计的要求，从而允许在紧凑的空间内实现更高的功率密度。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，表明其可在较低的栅极电压下开启，非常适合3.3V或更低电压的控制系统直接驱动。这种逻辑兼容性简化了驱动电路设计，减少了外围元件数量，降低了系统成本和复杂度。同时，输入和输出电容较小，分别为330pF和170pF，意味着开关速度较快，开关损耗较低，适合高频开关应用如同步降压变换器或负载开关控制。
　　PowerPAIR DFN 1.6x1.6mm封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有优异的热性能。封装底部带有暴露的热焊盘，可通过焊接连接到PCB的接地层或专用散热区域，显著改善热传导路径，提升散热效率。这种设计使得IRLMS1902即使在较高负载条件下也能维持较低的工作温度，增强了长期运行的稳定性和可靠性。此外，DFN封装无引脚结构还降低了寄生电感，有利于高速开关操作，减少电磁干扰（EMI）。
　　IRLMS1902的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在恶劣的环境温度条件下稳定工作。无论是高温工业环境还是低温户外设备，该器件都能保持良好的电气性能。同时，其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，表明其具备一定的汽车级应用潜力，可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中的电源管理部分。总体而言，IRLMS1902是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适用于现代高集成度电子产品中的电源开关与管理功能。

应用

IRLMS1902主要用于便携式电子设备中的电源管理和负载开关应用。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池供电路径控制、外设电源切换、LCD背光驱动以及USB端口的过流保护开关。由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力，常被用作同步整流器或高端开关在DC-DC降压转换器中，以提升转换效率并减少能量损耗。此外，该器件也适用于各类低电压电源管理系统，例如在可穿戴设备中作为主处理器或传感器模块的供电开关，实现按需上电以节省能耗。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，IRLMS1902可用于实现多电源域的动态控制，例如在睡眠模式下切断非关键模块的供电，从而大幅降低待机功耗。其快速开关特性也使其适合用于热插拔电路或电源多路复用器设计，确保电源切换过程平稳且无冲击电流。在工业手持设备、医疗监测仪器等对尺寸和功耗敏感的产品中，该器件同样发挥着重要作用。
　　由于其良好的热性能和小封装特点，IRLMS1902还可用于高密度印刷电路板布局中，尤其是在BGA下方或屏蔽罩内部等空间受限区域。其车规级可靠性认证也使其适用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载导航、倒车摄像头电源控制或车内照明调光电路。总之，任何需要小型化、高效率P沟道MOSFET进行电源控制的场合，都是IRLMS1902的理想应用领域。