型号：IRLML6802TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　制造商：Infineon Technologies
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4.7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：18A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：60mΩ（最大值）
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=2.5V：85mHz（最大值）
　　栅极阈值电压（Vth）：0.65V ~ 1.1V
　　输入电容（Ciss）：290pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散（PD）：1W @ TA=25°C

IRLML6802TR采用了英飞凌先进的沟槽栅极MOSFET技术，这种结构通过在硅片表面刻蚀出垂直的沟槽并形成栅极，显著增加了单位面积内的沟道宽度，从而大幅降低了导通电阻RDS(on)。低RDS(on)意味着在相同电流下产生的I2R损耗更小，有助于提升系统能效并减少散热需求，特别适合用于高频率开关应用如同步整流和DC-DC降压变换器。该器件在VGS=4.5V时RDS(on)最大仅为60mΩ，在VGS=2.5V时仍可保持在85mΩ以下，展现出优异的逻辑电平驱动能力，使其能够在3.3V甚至更低电压系统中可靠工作。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和雪崩能量承受能力，内部结构经过优化以减少热点形成，提高了长期运行的可靠性。其快速开关特性得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得开关损耗降低，有利于提高电源转换效率。同时，体二极管的反向恢复时间较短（约16ns），减少了在感性负载切换过程中的反向恢复损耗，提升了整体系统性能。SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热。
　　IRLML6802TR的设计充分考虑了工业级应用的需求，支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在极端环境下依然稳定运行。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于对质量和可靠性要求较高的场合。此外，产品采用无铅工艺制造，符合RoHS和无卤素指令，适应全球环保法规要求。其高集成度和高性能使其成为替代传统分立晶体管和继电器的理想选择，尤其适用于需要频繁开关操作的小功率控制系统。

IRLML6802TR广泛应用于多种低电压、高效率的电力电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制、USB OTG电源开关以及背光LED驱动电路。在移动电源和充电宝设计中，它常被用作升压或降压转换器的同步整流开关，以提高转换效率并延长续航时间。此外，该器件也适用于各种类型的DC-DC转换器拓扑，如Buck、Boost和Buck-Boost电路，特别是在输入电压低于5V的应用场景中表现优异。
　　在工业控制领域，IRLML6802TR可用于驱动小型直流电机、电磁阀、继电器线圈和其他低功率执行机构，作为微控制器与负载之间的接口元件。由于其响应速度快、控制精度高，非常适合用于PWM调速和精密电流调节。在计算机外围设备中，如硬盘驱动器、打印机和扫描仪中，该MOSFET可用于电源轨切换和待机模式下的电源隔离，帮助实现节能设计。
　　在通信设备方面，该器件可用于基站模块、路由器和交换机中的点负载开关（Point-of-Load Switching），提供高效的局部电源管理功能。其小型化封装也使其适用于可穿戴设备，如智能手表、健康监测手环等对空间极为敏感的产品中。此外，在物联网（IoT）节点、传感器网络和无线传感终端中，IRLML6802TR可用于实现低功耗唤醒机制和间歇性供电控制，最大限度地延长电池寿命。总之，凡是需要高效、紧凑且可靠的低侧开关解决方案的场合，IRLML6802TR都是一个极具竞争力的选择。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDMN340P
　　BSS138K