时间：2025/6/28 20:07:58
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IRLML6402G是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，由Infineon Technologies（前身为International Rectifier）生产。该器件具有极低的导通电阻和快速开关速度，适用于需要高效率和高频操作的应用场景。其小型化的封装设计使其非常适合于空间受限的设计环境。
最大漏源电压：20V
最大连续漏电流：2.7A
最大栅源电压：±8V
导通电阻：55mΩ
总栅极电荷：3.1nC
典型阈值电压：1.2V
工作结温范围：-55℃至150℃
IRLML6402G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频应用场景。
3. 小尺寸封装（SOT-23），适合紧凑型设计。
4. 低栅极电荷，可以降低驱动功耗。
5. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下也能稳定运行。
6. 逻辑电平驱动兼容性，简化了电路设计，减少了对外部驱动电路的需求。
IRLML6402G广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC/DC转换器和电源管理模块。
3. 电池保护和充电管理系统。
4. 消费类电子产品中的小型电机驱动。
5. 信号切换与保护电路。
6. 照明控制和LED驱动。
IRLML6401, IRLML6402
