时间：2025/6/10 15:31:30
阅读：6
IRLML6401是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装形式，适合用于空间受限的应用场景。IRLML6401因其低导通电阻和快速开关性能而被广泛应用于便携式设备、消费类电子、通信电源及信号切换等领域。
该MOSFET在较低的栅极驱动电压下仍能保持出色的导通特性，适用于电池供电系统中的负载开关、DC/DC转换器以及同步整流电路等应用。
型号：IRLML6401
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：1.7A
导通电阻(Rds(on))：150mΩ@Vgs=4.5V，400mΩ@Vgs=2.5V
栅极电荷(Qg)：4nC
总功耗(Ptot)：420mW
工作温度范围：-55°C至150°C
IRLML6401的主要特点是其低导通电阻设计，即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V或4.5V）下，仍然能够提供非常低的Rds(on)，从而降低功率损耗并提高整体效率。
此外，由于采用了SOT-23的小型封装，该MOSFET非常适合于需要紧凑布局和轻量化设计的场合。它具有较高的开关速度，可以减少开关损耗并提升动态响应性能。
该器件还具备出色的热稳定性，在较宽的工作温度范围内表现稳定，并且能够在高达150°C的结温条件下安全运行。这使其非常适合于高温环境下的应用。
IRLML6401广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 消费类电子产品中的电源管理，例如手机充电器、平板电脑适配器等。
2. 电池供电设备中的负载开关功能，比如便携式媒体播放器、蓝牙耳机等。
3. 各种DC/DC转换器和升压/降压电路中的开关元件。
4. 在通信电源中作为信号切换或保护电路的关键组件。
5. 用作同步整流器以提高转换效率。
IRLML6344
IRLML6402
BSS138
