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IRLML6344TRPBF 发布时间 时间:2025/5/29 10:11:22 查看 阅读:10

IRLML6344TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适用于低电压和低功耗应用场合。其主要特点是具有较低的导通电阻和较快的开关速度,能够满足高效能、小体积设计的需求。
  该MOSFET通常被用于负载开关、电源管理、马达驱动、信号切换等领域,尤其是在便携式设备和消费类电子产品中表现优异。

参数

型号:IRLML6344TRPBF
  封装:SOT-23
  最大漏源极电压(Vds):30V
  最大栅源极电压(Vgs):±10V
  连续漏极电流(Id):1.9A
  导通电阻(Rds(on)):55mΩ@Vgs=4.5V
  总功耗(Ptot):480mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  栅极电荷(Qg):典型值6nC

特性

IRLML6344TRPBF具备以下关键特性:
  1. 低导通电阻Rds(on),在Vgs=4.5V时仅为55mΩ,有助于减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,栅极电荷Qg典型值为6nC,适合高频操作。
  3. 小巧的SOT-23封装,节省PCB空间,适合高密度设计。
  4. 较宽的工作温度范围(-55℃至+150℃),保证了在各种环境下的可靠性。
  5. 高雪崩击穿能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的保护性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  这些特点使IRLML6344TRPBF成为低功耗、小尺寸电子应用的理想选择。

应用

IRLML6344TRPBF广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
  2. 移动设备和便携式设备中的电池管理系统。
  3. 马达驱动和小型直流电机控制。
  4. 信号切换和隔离电路。
  5. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  6. 保护电路设计,例如过流保护或短路保护。
  由于其出色的效率和紧凑的封装,IRLML6344TRPBF非常适合需要高性能与小尺寸兼顾的应用场景。

替代型号

AO3400A, SI2302DS

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IRLML6344TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML6344TRPBFTR