IRLML6344TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适用于低电压和低功耗应用场合。其主要特点是具有较低的导通电阻和较快的开关速度,能够满足高效能、小体积设计的需求。
该MOSFET通常被用于负载开关、电源管理、马达驱动、信号切换等领域,尤其是在便携式设备和消费类电子产品中表现优异。
型号:IRLML6344TRPBF
封装:SOT-23
最大漏源极电压(Vds):30V
最大栅源极电压(Vgs):±10V
连续漏极电流(Id):1.9A
导通电阻(Rds(on)):55mΩ@Vgs=4.5V
总功耗(Ptot):480mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
栅极电荷(Qg):典型值6nC
IRLML6344TRPBF具备以下关键特性:
1. 低导通电阻Rds(on),在Vgs=4.5V时仅为55mΩ,有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关能力,栅极电荷Qg典型值为6nC,适合高频操作。
3. 小巧的SOT-23封装,节省PCB空间,适合高密度设计。
4. 较宽的工作温度范围(-55℃至+150℃),保证了在各种环境下的可靠性。
5. 高雪崩击穿能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的保护性能。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
这些特点使IRLML6344TRPBF成为低功耗、小尺寸电子应用的理想选择。
IRLML6344TRPBF广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
2. 移动设备和便携式设备中的电池管理系统。
3. 马达驱动和小型直流电机控制。
4. 信号切换和隔离电路。
5. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
6. 保护电路设计,例如过流保护或短路保护。
由于其出色的效率和紧凑的封装,IRLML6344TRPBF非常适合需要高性能与小尺寸兼顾的应用场景。
AO3400A, SI2302DS