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IRLML6344GTRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 16:01:19 查看 阅读:9

IRLML6344GTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 道逻辑电平增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用小型化的 SOT-23-3 封装,适用于空间受限的设计。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于便携式设备、电池供电系统以及需要高效能转换的应用场景。
  该 MOSFET 的特点是其低栅极电荷和低导通电阻特性,使其在高频应用中表现出色,同时能够有效降低功耗。此外,其工作电压范围较广,能够满足多种电路设计需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±10V
  持续漏极电流:2.7A
  脉冲漏极电流:8.5A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:4nC(典型值)
  总电容(Ciss):145pF(典型值)
  开关时间:t_on=9ns,t_off=14ns(典型值)

特性

1. 低导通电阻:有助于减少导通损耗,提高效率。
  2. 高开关速度:快速的开关性能使 IRLML6344GTRPBF 在高频应用中表现优异。
  3. 小型封装:SOT-23-3 封装节省了 PCB 空间,非常适合便携式和紧凑型设计。
  4. 宽工作电压范围:支持从低压到中压的各种应用场景。
  5. 符合 RoHS 标准:环保设计,适合现代电子产品的需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流电机驱动和控制。
  3. 电池管理与保护电路。
  4. 背光驱动和 LED 驱动器。
  5. 消费类电子产品的负载开关。
  6. 信号切换与功率分配电路。

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