类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30V
　　漏极电流（Id）@25°C：1.4A
　　漏极脉冲电流（Idm）：5.6A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V：75mΩ
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=2.5V：110mΩ
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=1.8V：180mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.8V ~ 1.3V
　　输入电容（Ciss）：230pF
　　输出电容（Coss）：120pF
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

IRLML2803的核心优势在于其超低的栅极开启电压和出色的导通电阻表现，使其成为低电压操作环境中的理想选择。该MOSFET采用了英飞凌成熟的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构能够在较小的芯片面积上实现更高的载流子迁移率，从而显著降低Rds(on)，提高整体效率。其典型阈值电压低至0.8V至1.3V之间，意味着即使在1.8V甚至更低的逻辑电平下也能实现有效导通，这使得它特别适合用于由单片机GPIO直接驱动的应用场景，例如智能传感器节点、可穿戴设备和物联网终端设备中的电源开关或负载控制。
　　该器件在Vgs=4.5V时的导通电阻仅为75mΩ，而在更常见的3.3V系统中（Vgs=2.5V），Rds(on)也仅上升到110mΩ，这样的性能指标在同级别SOT-23封装MOSFET中处于领先水平。低Rds(on)不仅减少了导通状态下的功率损耗，还降低了温升，提升了系统的长期运行稳定性。同时，其最大连续漏极电流可达1.4A，短时脉冲电流支持高达5.6A，具备一定的过载能力，适用于驱动小型继电器、LED阵列或电机等感性与阻性负载。
　　IRLML2803具备良好的电容特性，输入电容Ciss为230pF，输出电容Coss为120pF，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频切换效率。其反向恢复时间trr为16ns，表明体二极管响应速度快，能有效抑制开关瞬态带来的电压尖峰，尤其在DC-DC转换器或H桥驱动电路中表现出色。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的工业环境下稳定运行，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，部分批次可用于汽车电子应用。
　　SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化的引脚布局和散热设计仍能保证一定的热传导能力，配合合理PCB布线可满足大多数中低功率应用需求。总体而言，IRLML2803以其小尺寸、低功耗、高可靠性和易于集成的特点，成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

IRLML2803广泛应用于各类需要高效、小型化开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式和电池供电设备中的电源管理开关，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和其他可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。在这些应用中，该MOSFET用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或动态电源管理。此外，它也被广泛用于DC-DC转换器电路中，作为同步整流器或低端开关管，利用其低导通电阻来提升转换效率并减少发热。
　　在微控制器接口电路中，IRLML2803常被用来扩展GPIO的驱动能力，例如驱动LED指示灯、小型继电器、蜂鸣器或其他外围设备。由于其低阈值电压特性，可以直接由3.3V或1.8V逻辑信号驱动，无需电平转换或专用驱动芯片，简化了电路设计并降低成本。在电机控制领域，该器件可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端开关实现方向和启停控制。
　　此外，IRLML2803也适用于各类模拟开关、热插拔电路、USB电源开关以及保护电路中，起到防止反接、过流或浪涌的作用。在工业自动化系统中，它可用于PLC输入输出模块的小信号切换，或作为传感器供电的控制开关。由于其符合RoHS标准且具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，该器件同样适用于汽车电子系统中的车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等场景。总之，凡是对空间、功耗和可靠性有较高要求的低压开关应用，IRLML2803都是一个极具竞争力的选择。

SI2302,DMG2302U,MCH3314,FDMS8878Z