IRLML2030TR是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效开关应用的理想选择,广泛用于便携式设备、电源管理电路以及信号切换等场合。
这款MOSFET的最大特点是能够以较低的驱动电压开启,典型栅极阈值电压为1V左右,适合于电池供电或低电压环境下的工作。此外,其出色的热性能和可靠性也确保了在严苛条件下的稳定运行。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:1.1A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ@4.5V,280mΩ@1.8V
栅极阈值电压:1V~2V
总栅极电荷:2.8nC
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRLML2030TR具有以下主要特性:
1. 小型化封装(SOT-23),节省PCB空间。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高效率。
3. 低栅极电荷,支持快速开关。
4. 宽工作电压范围,适用于多种应用场景。
5. 高可靠性与长寿命设计,满足工业级要求。
6. 支持低电压操作,非常适合锂电池供电的设备。
该器件常用于以下领域:
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电源管理系统,如DC-DC转换器和线性稳压器。
3. 消费类电子产品中的信号切换。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. 小功率电机控制和驱动。
6. 数据通信接口的保护和隔离。
IRLML2030LPBF, IRLML2030TMA, IRLML2030TRPbF