您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRLML0100TRPBF

IRLML0100TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 17:54:03 查看 阅读:4

IRLML0100TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了小型化的SOT-23封装,非常适合用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和较低的栅极电荷特性使其成为高效开关应用的理想选择,例如负载开关、同步整流器、DC/DC转换器等。
  这款MOSFET的工作电压范围为30V,能够在低至4.5V的驱动电压下提供高效的开关性能。由于其出色的热特性和电气性能,它被广泛应用于消费电子、通信设备以及便携式设备中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:150mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:3nC(典型值)
  输入电容:250pF(典型值)
  总功耗:360mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 采用小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
  2. 超低导通电阻,提高整体系统效率。
  3. 较低的栅极电荷,简化驱动电路设计并降低开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 高可靠性,适合长时间运行的关键应用。

应用

1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
  2. 同步整流及负载开关。
  3. 小功率DC/DC转换器。
  4. 电池供电设备的保护电路。
  5. 消费类电子产品中的信号切换功能。

替代型号

IRLML0102TRPBF, IRLML6402TRPBF

IRLML0100TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRLML0100TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRLML0100TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 1.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds290pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML0100TRPBFTR