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IRLML0040TRPBF 发布时间 时间:2025/5/22 13:35:30 查看 阅读:2

IRLML0040TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适合用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场景。其低导通电阻和小尺寸特性使其在便携式设备、电池供电电路、负载切换以及DC-DC转换器等应用中表现出色。
  该器件具有较低的栅极电荷和输入电容,从而减少了开关损耗,并提高了系统的整体效率。此外,它还具备出色的热特性和可靠性,非常适合对空间和功耗敏感的设计。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(Rds(on)):125mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极阈值电压:1.1V至2.2V
  总栅极电荷:2.5nC(典型值)
  输入电容:76pF(典型值)
  工作结温范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-23

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 小型SOT-23封装,节省印刷电路板上的空间。
  3. 较低的栅极电荷和输入电容,能够实现更快的开关速度,降低开关损耗。
  4. 宽工作温度范围,适用于各种环境条件下的应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

1. 便携式电子设备中的电源管理,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
  2. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护和充电电路中的负载开关。
  4. 消费类电子产品中的信号切换和驱动控制。
  5. 工业控制和自动化系统中的低功率电机驱动。

替代型号

IRLML6402, IRLML2502, BSS138

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IRLML0040TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 3.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds266pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML0040TRPBFTR