IRLML0040TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适合用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场景。其低导通电阻和小尺寸特性使其在便携式设备、电池供电电路、负载切换以及DC-DC转换器等应用中表现出色。
该器件具有较低的栅极电荷和输入电容,从而减少了开关损耗,并提高了系统的整体效率。此外,它还具备出色的热特性和可靠性,非常适合对空间和功耗敏感的设计。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻(Rds(on)):125mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
栅极阈值电压:1.1V至2.2V
总栅极电荷:2.5nC(典型值)
输入电容:76pF(典型值)
工作结温范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-23
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 小型SOT-23封装,节省印刷电路板上的空间。
3. 较低的栅极电荷和输入电容,能够实现更快的开关速度,降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围,适用于各种环境条件下的应用。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
1. 便携式电子设备中的电源管理,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护和充电电路中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的信号切换和驱动控制。
5. 工业控制和自动化系统中的低功率电机驱动。
IRLML6402, IRLML2502, BSS138