IRLML0030TR是英飞凌(Infineon)推出的逻辑电平N沟道MOSFET晶体管。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效功率转换的应用场景。
该型号采用超小型SOT23-3封装形式,便于在空间受限的设计中使用。其低栅极电荷和阈值电压使其能够与低压逻辑电路直接兼容,从而简化设计并提高效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.1A
导通电阻(Rds(on)):55mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极阈值电压:1.2V~2.0V
总功耗:410mW
工作温度范围:-55℃~150℃
IRLML0030TR具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输,并减少了发热问题。
2. 采用SOT23-3小型封装,适合紧凑型设计。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
4. 较低的栅极电荷和输入电容,提升了驱动效率。
5. 具有出色的雪崩能力和抗静电能力(ESD),增强了器件的可靠性。
6. 可与3.3V或5V逻辑信号直接接口,无需额外的驱动电路。
该器件适用于多种电子应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC/DC转换器及负载开关。
3. 消费类电子产品中的电池管理。
4. 电机驱动和控制。
5. 保护电路,如过流保护和短路保护。
6. 任何需要高性能、小体积MOSFET的地方。
IRLML6402, BSS138, AO3400