时间：2025/4/27 11:49:03
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IRLM2803TR是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式，适用于低电压、大电流的开关应用。由于其较低的导通电阻和快速的开关速度，IRLM2803TR广泛应用于电机驱动、负载切换、电源管理等场合。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，能够与常见的数字逻辑电路直接兼容，简化了设计过程。同时，其出色的热性能和可靠性也使其成为众多工程师的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：6mΩ（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压：1V~2.5V
总功耗：1.4W
工作温度范围：-55℃~150℃
1. 极低的导通电阻确保了较高的效率和较低的功率损耗。
2. 支持宽范围的栅极驱动电压，最低可至4.5V，适合逻辑电平驱动。
3. 快速开关能力，减少开关损耗。
4. 高雪崩能量能力，提升了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
6. 小巧的TO-252封装形式节省PCB空间，适合高密度设计。
IRLM2803TR适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如降压、升压转换器。
2. 电机驱动控制，特别是小型直流或步进电机。
3. 负载开关和保护电路。
4. 固态继电器 可携式设备中的电池管理模块。
6. LED驱动和背光调节。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400
