IRLM2502TR 时间：2025/7/9 10:46:04 阅读：7

IRLM2502TR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道逻辑级增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，适用于多种低电压、高效率的应用场景。
　　这款 MOSFET 的设计目标是实现低导通电阻和快速开关性能，使其非常适合用于负载切换、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其逻辑电平栅极驱动使得它可以直接与标准逻辑输出接口配合使用，简化了电路设计。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：6.7A
　　导通电阻：15mΩ
　　栅极阈值电压：1V 至 2.5V
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：SO-8

特性

IRLM2502TR 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
　　2. 快速开关速度，能够适应高频应用需求。
　　3. 逻辑电平兼容的栅极驱动，可直接连接到微控制器或其他逻辑电路。
　　4. 小型化的 SO-8 封装，节省 PCB 布局空间。
　　5. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能表现。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备制造要求。

应用

IRLM2502TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。
　　2. DC-DC 转换器及降压稳压器。
　　3. 固态继电器和负载切换电路。
　　4. 电池管理系统中的充放电控制。
　　5. 小功率电机驱动和控制电路。
　　6. 各种工业自动化和消费类电子产品中的信号调节与功率传输环节。