IRLM2502TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑 级增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,适用于多种低电压、高效率的应用场景。
这款 MOSFET 的设计目标是实现低导通电阻和快速开关性能,使其非常适合用于负载切换、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其逻辑电平栅极驱动使得它可以直接与标准逻辑输出接口配合使用,简化了电路设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:15mΩ
栅极阈值电压:1V 至 2.5V
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SO-8
IRLM2502TR 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关速度,能够适应高频应用需求。
3. 逻辑电平兼容的栅极驱动,可直接连接到微控制器或其他逻辑电路。
4. 小型化的 SO-8 封装,节省 PCB 布局空间。
5. 高可靠性和稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能表现。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备制造要求。
IRLM2502TR 广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。
2. DC-DC 转换器及降压稳压器。
3. 固态继电器和负载切换电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 小功率电机驱动和控制电路。
6. 各种工业自动化和消费类电子产品中的信号调节与功率传输环节。
IRLZ44N, IRLM3902TRPBF