IRLM110ATF-NL 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和快速开关性能。IRLM110ATF-NL 特别适用于电池供电设备、电源管理和负载开关应用。该器件采用 8-TSSOP 封装,具有良好的热性能和空间效率。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID):300mA
最大漏-源电压 (VDS):60V
最大栅-源电压 (VGS):±20V
导通电阻 (RDS(on)):2.8Ω @ VGS = 10V
导通阈值电压 (VGS(th)):1.1V 至 2.5V
功耗 (Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:8-TSSOP
IRLM110ATF-NL 具备多项优良特性,使其在低功率 MOSFET 应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高能效。其次,该器件采用先进的沟槽技术,提供了快速的开关性能,有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。
此外,IRLM110ATF-NL 的栅极驱动电压范围较宽(最大 ±20V),使其适用于多种驱动电路配置。其较低的导通阈值电压(VGS(th))意味着它可以使用较低的栅极电压进行有效控制,适用于低压微控制器或逻辑电路直接驱动。
最后,IRLM110ATF-NL 具有高可靠性,符合 RoHS 标准,适用于无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
IRLM110ATF-NL 广泛应用于多种低电压、中等功率电子系统中。常见的应用包括便携式电池供电设备中的负载开关、电机驱动控制、电源管理系统以及 LED 照明调光电路。该器件的低导通电阻和高速开关特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器和同步整流器设计。
在工业控制领域,IRLM110ATF-NL 可用于传感器接口电路、继电器替代方案和 PLC(可编程逻辑控制器)中的信号切换。此外,由于其宽温度范围和高可靠性,它也常用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和电动助力转向系统中的电源管理单元。
在通信设备中,该 MOSFET 可用于以太网供电(PoE)接口的电源控制,以及无线基站中的低功耗开关电路。
Si2302DS、2N7002、FDV301N、BSS138