时间：2025/8/24 22:04:34
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IRLM110ATF-NL 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和快速开关性能。IRLM110ATF-NL 特别适用于电池供电设备、电源管理和负载开关应用。该器件采用 8-TSSOP 封装，具有良好的热性能和空间效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：300mA
最大漏-源电压 (VDS)：60V
最大栅-源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：2.8Ω @ VGS = 10V
导通阈值电压 (VGS(th))：1.1V 至 2.5V
功耗 (Ptot)：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：8-TSSOP
IRLM110ATF-NL 具备多项优良特性，使其在低功率 MOSFET 应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高能效。其次，该器件采用先进的沟槽技术，提供了快速的开关性能，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，IRLM110ATF-NL 的栅极驱动电压范围较宽（最大 ±20V），使其适用于多种驱动电路配置。其较低的导通阈值电压（VGS(th)）意味着它可以使用较低的栅极电压进行有效控制，适用于低压微控制器或逻辑电路直接驱动。
IRLM110ATF-NL 广泛应用于多种低电压、中等功率电子系统中。常见的应用包括便携式电池供电设备中的负载开关、电机驱动控制、电源管理系统以及 LED 照明调光电路。该器件的低导通电阻和高速开关特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器和同步整流器设计。
在工业控制领域，IRLM110ATF-NL 可用于传感器接口电路、继电器替代方案和 PLC（可编程逻辑控制器）中的信号切换。此外，由于其宽温度范围和高可靠性，它也常用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和电动助力转向系统中的电源管理单元。
在通信设备中，该 MOSFET 可用于以太网供电（PoE）接口的电源控制，以及无线基站中的低功耗开关电路。
Si2302DS、2N7002、FDV301N、BSS138
