类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.6 A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：18.4 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：45 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：55 mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：470 pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　功耗（Pd）：1.4 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：PowerPAK SO-8

IRLL1255TRPBF采用英飞凌成熟的沟槽型MOSFET工艺，具备非常低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下典型值仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。该特性尤其适用于电池供电设备或对能效要求严格的DC-DC转换电路中。其低Rds(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计并提升系统可靠性。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为12nC，这一参数直接影响MOSFET的开关速度和驱动损耗。低Qg使得MOSFET能够在高频开关应用中实现更快的开启和关断过程，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗，提高电源转换效率。此外，低Qg也减轻了栅极驱动电路的负担，允许使用更低驱动电流的控制器，进一步优化系统成本与功耗。
　　IRLL1255TRPBF具备良好的热性能，得益于其PowerPAK SO-8封装设计，该封装去除了传统的引线框架，通过铜夹直接连接芯片与外部引脚，大幅提升了热传导效率，使结到环境的热阻（RthJA）显著降低。即使在紧凑布局下也能有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET还表现出优异的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其栅氧化层经过严格工艺控制，保证了长期使用的可靠性和稳定性。此外，器件对dv/dt噪声具有较强的免疫力，减少了误触发的风险，提升了系统在复杂电磁环境中的稳定性。

IRLL1255TRPBF广泛用于各类中低功率电源管理系统中。在同步整流型DC-DC降压转换器中，常作为下管或上管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率，特别适用于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的主板供电设计。
　　在负载开关应用中，该器件可用于控制电源路径的通断，例如为USB端口、显示屏背光或特定功能模块提供受控电源，防止浪涌电流并对过载情况进行隔离保护。其小型封装非常适合空间敏感的移动设备设计。
　　此外，它也被用于电机驱动电路中，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中作为开关元件，实现精确的速度和方向控制。在电池管理单元（BMU）或热插拔控制器中，IRLL1255TRPBF可作为主开关器件，提供高效的通断控制和电流承载能力。
　　其他应用场景还包括LED驱动电路、电源多相并联架构中的功率级、以及各类工业控制板卡上的隔离开关。由于其符合AEC-Q101可靠性标准的部分测试要求，也可用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块等汽车电子领域。

IRLML6255
　　SISS12DN
　　AO3400A
　　FDN340P