IRLL024ZTR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于各种需要高效功率转换的场景。其耐压能力达到60V,适用于多种中低压应用场合。
该器件在设计上注重降低导通损耗,同时保持良好的开关性能,从而使其成为工业、消费电子及汽车领域中的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:157A
导通电阻:0.5mΩ
栅极电荷:36nC
开关时间:开通延迟时间39ns,上升时间18ns,关断传播延迟时间18ns,下降时间12ns
工作结温范围:-55℃至175℃
IRLL024ZTR具备卓越的电气性能,主要体现在以下几个方面:
1. 极低的导通电阻,仅为0.5mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。
2. 高额定电流能力,连续漏极电流可达157A,可满足大功率应用需求。
3. 小巧紧凑的TOLL封装形式,有助于节省PCB空间,并提供出色的热性能。
4. 支持较宽的工作温度范围(-55℃至175℃),适应各种恶劣环境下的使用。
5. 快速的开关速度,有利于减少开关损耗并提升高频应用的表现。
6. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
IRLL024ZTR适合用于多种电力电子设备中,例如:
1. 开关电源(SMPS)的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器以及其他便携式设备中的电机驱动。
3. 新能源领域的逆变器和DC-DC转换器。
4. 工业自动化控制中的负载切换。
5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和车载充电器等。
其高性能特点使得它能够胜任高效率、高可靠性的应用场景。
IRLL024PBF, IRFP2907ZTR