IRLL024ZTR 时间：2025/5/23 9:53:23 阅读：22

IRLL024ZTR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于各种需要高效功率转换的场景。其耐压能力达到60V，适用于多种中低压应用场合。
　　该器件在设计上注重降低导通损耗，同时保持良好的开关性能，从而使其成为工业、消费电子及汽车领域中的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：157A
　　导通电阻：0.5mΩ
　　栅极电荷：36nC
　　开关时间：开通延迟时间39ns，上升时间18ns，关断传播延迟时间18ns，下降时间12ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

IRLL024ZTR具备卓越的电气性能，主要体现在以下几个方面：
　　1. 极低的导通电阻，仅为0.5mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。
　　2. 高额定电流能力，连续漏极电流可达157A，可满足大功率应用需求。
　　3. 小巧紧凑的TOLL封装形式，有助于节省PCB空间，并提供出色的热性能。
　　4. 支持较宽的工作温度范围（-55℃至175℃），适应各种恶劣环境下的使用。
　　5. 快速的开关速度，有利于减少开关损耗并提升高频应用的表现。
　　6. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。

应用

IRLL024ZTR适合用于多种电力电子设备中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）的主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具、家用电器以及其他便携式设备中的电机驱动。
　　3. 新能源领域的逆变器和DC-DC转换器。
　　4. 工业自动化控制中的负载切换。
　　5. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）和车载充电器等。
　　其高性能特点使得它能够胜任高效率、高可靠性的应用场景。