时间：2025/4/29 12:50:16
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IRLL024N是一款N沟道逻辑电平MOSFET，由英飞凌（Infineon）制造。该器件采用小型SO-8封装，适用于各种功率开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为消费电子、工业控制和电源管理等领域的理想选择。
IRLL024N的典型应用场景包括负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电池保护电路等。由于其支持较低的栅极驱动电压（低至4.5V），因此非常适合与现代微控制器或数字逻辑电路配合使用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：11A
导通电阻：37mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：6nC
总电容：150pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：SO-8
IRLL024N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
3. 支持低至4.5V的栅极驱动电压，便于与逻辑电路直接连接。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代设计要求。
IRLL024N广泛应用于以下领域：
1. 消费电子产品中的负载开关和电源管理。
2. DC-DC转换器及升压/降压转换器设计。
3. 小型电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和充电管理系统。
5. 各类工业控制设备中的功率开关功能。
6. 电信设备中的二次侧电源开关。
IRF7413, SI4449DY, FDN337N
