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IRLL014TR 发布时间 时间:2025/6/4 18:08:57 查看 阅读:5

IRLL014TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET晶体管。该器件采用小型TO-252 (DPAK) 封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于各种功率转换、电机驱动和负载开关等应用。其额定电压为20V,能够提供高达4.3A的连续漏极电流(在特定条件下)。由于其较低的开启门限电压(典型值为1.9V),它非常适合由低电压信号源直接驱动的应用场景。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏极电流:4.3A
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.9V(典型值)
  总功耗:1.6W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLL014TR是一款专门为低电压应用设计的MOSFET,具有以下特点:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗,提升效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
  3. 低栅极开启电压(Vgs(th)),使其能够与现代低电压逻辑电路兼容。
  4. 小型封装,节省PCB空间,适合高密度设计。
  5. 较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  这些特性使IRLL014TR成为各类低压、大电流应用的理想选择,例如电池供电设备、LED驱动器和小型电机控制器。

应用

IRLL014TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统中的开关元件。
  5. 小型直流电机驱动。
  6. LED驱动电路。
  由于其低导通电阻和低开启电压,这款MOSFET特别适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。

替代型号

IRLML6402TRPBF, IRLZ44NTRPBF, FDN340P

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IRLL014TR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)