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IRLL014NTR 发布时间 时间:2025/6/28 22:25:48 查看 阅读:6

IRLL014NTR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。它采用了SO-8封装形式,广泛应用于各种开关和功率管理电路中。这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性而著称,适合在高频开关应用中使用。
  IRLL014NTR的额定电压为60V,能够承受一定的高压环境,同时它的低导通电阻使其在大电流应用中表现出较低的功耗和发热。此外,该器件具有较低的栅极电荷,从而实现更快的开关速度和更高的效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:3.9A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:SO-8

特性

IRLL014NTR的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力。
  1. 低导通电阻:仅为50mΩ,这使得该器件在高电流应用中能减少功率损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关:由于其低栅极电荷(7nC),IRLL014NTR可以实现非常快的开关速度,适用于高频应用。
  3. 宽工作温度范围:从-55℃到175℃的工作温度范围,使其能够在极端环境下可靠运行。
  4. 高可靠性:作为英飞凌旗下的产品,IRLL014NTR具有出色的耐用性和可靠性,适合工业及汽车级应用。
  5. SO-8封装:这种封装形式不仅便于安装,而且提供良好的散热性能。

应用

IRLL014NTR因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括降压、升压和反激式转换器。
  2. 电机驱动:用于小型直流电机控制。
  3. 负载切换:如电池管理系统中的负载切换。
  4. 继电器替代:在需要快速响应的应用场合下,可以用MOSFET替代传统继电器。
  5. 工业自动化:用于各种工业控制电路和功率管理模块。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A

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IRLL014NTR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds230pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)