IRLI2505PBF 时间：2025/12/26 19:47:40 阅读：18

IRLI2505PBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽型场效应晶体管技术设计，专为高效率、高频开关应用而优化。该器件封装在DirectFET? 3.3mm x 3.3mm的表面贴装封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于负载点（POL）转换器、同步降压转换器以及其他对空间和效率要求较高的电源管理系统。IRLI2505PBF通过优化栅极电荷与导通电阻之间的平衡，在保持低开关损耗的同时实现高效的导通性能，是现代高密度电源设计中的理想选择。其封装结构支持双面散热，可显著提升热管理能力，尤其适合在有限空间内需要高效散热的应用场景。此外，该器件符合RoHS标准，并具备无铅（Pb-free）特性，满足环保和工业级可靠性要求。

参数

型号：IRLI2505PBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大连续漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻Rds(on)（max）@ Vgs=4.5V：8.7mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max）@ Vgs=10V：6.7mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1300pF
　　输出电容（Coss）：典型值450pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值11ns
　　最大功耗（Pd）：45W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DirectFET (3.3mm x 3.3mm)

特性

IRLI2505PBF的核心特性之一是其采用的先进沟槽MOSFET技术和DirectFET封装工艺，使得器件在低电压、大电流的开关电源应用中表现出卓越的性能。其极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下仅为6.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。同时，该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为15nC，有助于减少驱动电路的功耗并提升开关频率，从而实现更紧凑的电源设计。
　　另一个关键优势在于其封装技术——DirectFET。这种金属顶部封装不仅提供了出色的热传导性能，允许从PCB上下两面进行散热，而且由于寄生电感极低，能够有效抑制开关过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和可靠性。这对于多相VRM（电压调节模块）和高频率DC-DC转换器尤为重要。
　　IRLI2505PBF还具备良好的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能，能够在瞬态过载或反向电流条件下维持正常工作。其快速的反向恢复时间（trr约11ns）减少了体二极管的反向恢复电荷（Qrr），从而降低开关损耗，尤其是在同步整流拓扑中表现优异。
　　此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境和高温运行条件。其符合JEDEC标准的可靠性测试流程确保了长期使用的稳定性。总体而言，IRLI2505PBF凭借其低Rds(on)、低Qg、优良热性能和高功率密度，成为服务器、通信设备、FPGA供电及便携式电源系统中不可或缺的关键元器件。

应用

IRLI2505PBF广泛应用于需要高效能、高功率密度的直流电源转换系统中。典型应用场景包括负载点（Point-of-Load, POL）电源转换器，这类系统通常用于为高性能处理器、ASIC、FPGA和GPU等数字负载提供稳定的低压大电流供电。在这些应用中，IRLI2505PBF常作为同步降压转换器中的下管（Synchronous Rectifier）或上管（Control FET）使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来最大限度地减少能量损耗。
　　此外，该器件也适用于多相电压调节模块（VRM），常见于服务器主板和高端计算平台中，用于动态调节CPU供电电压。其优异的热性能和小型化封装使其非常适合高密度PCB布局，有助于缩小整体电源体积并提升散热效率。
　　在电信和网络设备中，如交换机、路由器和基站电源系统，IRLI2505PBF可用于中间总线转换器（IBC）或二次侧同步整流电路，以提高转换效率并降低系统温升。
　　其他应用还包括笔记本电脑适配器、工业电源模块、电池管理系统（BMS）、DC-DC模块电源以及LED驱动电源等。由于其具备良好的高频响应和抗噪声能力，也适用于PWM控制下的精密电源调节场合。总的来说，任何需要在25V以下工作电压范围内实现高效、紧凑、可靠电源设计的场景，都是IRLI2505PBF的理想应用领域。