型号：IRLI2505PBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：55 V
　　最大连续漏极电流（ID）：68 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：270 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：max 3.3 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 34 A
　　导通电阻RDS(on)：max 4.2 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 34 A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V ~ 3.0 V（典型值2.5 V）
　　输入电容（Ciss）：约 2800 pF @ VDS = 25 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：约 1000 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 30 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2 V（典型值）
　　功耗（PD）：220 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装

IRLI2505PBF采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)仅为3.3mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其适用于大电流、低电压输出的应用场合，如同步降压转换器中的下管或上管配置。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为50nC（在VGS=10V时），有助于减少驱动损耗并提升高频开关能力，支持高达数百kHz甚至更高的开关频率运行，从而允许使用更小的外围滤波元件，缩小整体电源体积。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于TO-252封装的优良散热设计，能够通过PCB上的铜箔有效传导热量，实现高效的热管理。其最大功耗可达220W（在壳温25°C时），表明其在适当散热条件下可承载较大功率。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　IRLI2505PBF内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr≈30ns），减少了在硬开关电路中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统的可靠性和EMI表现。同时，该器件对dv/dt和di/dt具有良好的耐受能力，在快速切换过程中表现出稳定的动态行为。其栅源电压容限为±20V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的驱动IC输出电平，避免因过压导致栅极击穿。
　　该产品符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环保的严格要求。生产过程遵循AEC-Q101等可靠性标准，确保器件在批量使用中具有一致的质量和长寿命。综合来看，IRLI2505PBF是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于追求高效率、高功率密度和高可靠性的电源设计方案。

IRLI2505PBF广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。典型用途包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为低边开关使用，因其低RDS(on)可大幅降低导通损耗，提高转换效率。在非隔离式电源拓扑如Buck、Boost和SEPIC中，该器件也可作为主开关管，适用于服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器等场合。
　　在电机驱动领域，IRLI2505PBF可用于H桥电路中的低端或高端驱动，控制直流电机或步进电机的启停与方向，凭借其高电流承载能力和快速开关特性，能够实现精确的PWM调速控制。此外，在电池供电系统中，如电动工具、便携式医疗设备和UPS不间断电源中，该MOSFET常被用作负载开关或保护开关，用于接通/断开电池与负载之间的连接，防止过流或短路损坏系统。
　　在LED照明驱动电源中，该器件可用于初级侧开关或次级侧同步整流，提升能效并减少发热。其TO-252封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。同时，该器件也适用于太阳能微逆变器、电动车车载充电器（OBC）辅助电源、工业PLC电源单元等对可靠性要求较高的场景。由于其宽泛的工作温度范围和良好的热稳定性，IRLI2505PBF在高温工业环境或封闭空间内仍能保持稳定性能。

IRL2505PBF
　　IRLB8743PBF
　　FDS6680A
　　AO4405