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IRLHS6342TRPBF 发布时间 时间:2025/5/26 21:03:51 查看 阅读:12

IRLHS6342TRPBF是由Infineon(英飞凌)制造的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于高频开关应用和功率管理领域。
  该型号设计用于提高效率并减少功率损耗,常见于负载切换、DC-DC转换器、电机控制和其他需要高效功率传输的应用场景中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:158A
  导通电阻:0.75mΩ
  栅极电荷:105nC
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TOLL

特性

IRLHS6342TRPBF具备超低导通电阻,这有助于降低传导损耗,并且它的高电流承载能力使其非常适合大功率应用。
  此外,该器件还支持快速开关操作,从而能够满足高频应用的需求。其TOLL封装提供了出色的热性能和电气性能,同时兼容标准的表面贴装生产工艺。
  由于其工作温度范围宽广,能够在极端条件下可靠运行,因此适用于工业、汽车以及消费电子领域的多种应用场景。

应用

该MOSFET广泛应用于负载开关、同步整流、降压和升压转换器、电池管理系统、电动工具、不间断电源(UPS)、LED驱动器以及其他需要高效功率转换和管理的场合。
  在汽车领域,它可用于引擎控制单元、传动系统和车身电子等应用;在工业自动化方面,则可以用于伺服驱动、逆变器和机器人技术。

替代型号

IRLHS6342TRPQ, IRLHS6342E3, IRLHS6342TPBF

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IRLHS6342TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1019pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-PowerVDFN
  • 供应商设备封装6-PQFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)