型号：IRLH5036
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：170 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：680 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：2.8 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：3.2 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1 V，范围1.5~2.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值5200 pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：典型值1900 pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装

IRLH5036采用了英飞凌先进的TrenchMOS工艺技术，这种结构通过在硅片表面构建垂直沟道来大幅提升载流子迁移率，从而实现超低的导通电阻。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为2.8mΩ，即便在较低的驱动电压如4.5V下也能保持3.2mΩ的优异水平，这使其非常适合用于高电流、低电压的应用场合，例如大功率LED驱动或电动工具中的电机控制。由于导通损耗与RDS(on)成正比，如此低的阻值意味着即使在数百安培级别的峰值电流下，器件的功耗也能够被有效控制，减少发热并提升能效。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性与长期可靠性。其最大允许结温高达175°C，并且在全温度范围内仍能维持稳定的电气性能。内部结构经过优化设计，确保热量从芯片快速传递至封装外壳，配合外部散热器可实现高效的热管理。这对于持续运行或频繁启停的工作环境尤为重要，例如工业电源模块或太阳能逆变器中。
　　IRLH5036还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）事件中承受一定的能量冲击而不损坏，这一特性提高了系统在异常工况下的安全性。其内置的体二极管虽然并非专为高频整流设计，但在同步整流或续流路径中仍可提供基本功能支持。此外，该器件对静电敏感度进行了优化处理，但仍建议在操作过程中采取适当的ESD防护措施以确保可靠性。
　　得益于其逻辑电平兼容的栅极驱动特性，IRLH5036可以直接由微控制器或逻辑门电路驱动，无需额外的电平转换或推挽驱动电路，从而降低了系统成本与复杂度。同时，其较大的安全工作区（SOA）允许在较宽的电压与电流组合下正常运行，增强了在多变负载条件下的适应能力。总体而言，IRLH5036是一款集高性能、高可靠性和易用性于一体的功率MOSFET，适用于多种严苛应用场景。

IRLH5036广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流型DC-DC变换器、 buck转换器以及电池充电管理系统中，凭借其极低的导通电阻显著提升转换效率，减少能量损耗。在电机控制方面，该器件可用于直流有刷电机、步进电机或风扇驱动电路中，作为主开关元件实现精确的速度与方向控制，尤其适用于电动工具、家用电器和汽车辅助系统等高电流负载场景。
　　在工业自动化设备中，IRLH5036可用于PLC输出模块、固态继电器或电磁阀驱动单元，提供快速响应与高耐久性的开关性能。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能在恶劣环境下长期稳定运行。此外，在新能源系统如太阳能逆变器或储能电源中，该MOSFET可用于功率级开关，协助实现高效的能量转换与分配。
　　消费类电子产品中，IRLH5036也常见于大功率LED照明驱动电路，特别是在需要调光或恒流控制的应用中，其低导通压降有助于减少发热，延长灯具寿命。同时，由于其支持逻辑电平驱动，因此也适用于由MCU直接控制的智能插座、电源开关模块或UPS不间断电源系统中的负载切换功能。
　　在汽车电子领域，尽管该器件主要用于工业而非车规级应用，但在部分非安全关键的车载附件控制中也有使用，如车窗升降、座椅调节或后备箱开启机构的驱动电路。总之，IRLH5036凭借其卓越的电气性能和坚固的封装结构，成为众多中高端功率应用中的理想选择。

IRL3803ZPBF
　　IRF3205Z
　　IRLH5037