时间：2025/12/23 13:39:12
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IRLH5034TRPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用逻辑电平驱动设计，适用于低电压应用场合。其卓越的导通电阻和快速开关性能使其成为功率转换、电机控制以及负载开关等应用的理想选择。此型号采用TO-252 (DPAK) 封装形式，便于散热和安装。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：18nC（典型值）
总功耗：26W
工作结温范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
封装类型：无铅 (Pb-Free)
IRLH5034TRPBF具有非常低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高效率。此外，该器件支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压较低，可以直接与微控制器或逻辑电路配合使用。其出色的热性能和高可靠性确保了在严苛环境下的稳定运行。
该MOSFET还具备快速开关能力，适合高频应用，并且具有较强的抗雪崩能力和鲁棒性，可以承受短时间内的过载条件。整体而言，IRLH5034TRPBF是一款高效、可靠且易于使用的功率MOSFET。
IRLH5034TRPBF广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电池管理系统
- 电机驱动和控制
- 汽车电子中的负载开关
- 工业自动化设备
- 笔记本电脑和其他消费类电子产品中的电源管理模块
由于其低导通电阻和高电流处理能力，这款MOSFET特别适合需要高效率和低发热的应用场合。
IRLH5034PBF, IRLH5034TR
