IRL7833PBF. 时间：2025/12/26 20:50:55 阅读：23

IRL7833PBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和硅片技术制造，专为高效率、低电压开关应用而设计。该器件封装在DirectFET?的微型5mm x 6mm封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高电流密度和高效散热的应用场景。由于其优化的栅极电荷和低栅极驱动损耗，IRL7833PBF特别适合用于同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等电源管理电路中。该器件符合RoHS标准，并采用无铅（Pb-free）封装工艺，适用于现代绿色电子产品的设计需求。此外，DirectFET封装形式允许双面散热，进一步提升其在高功率密度环境下的可靠性与性能表现。

参数

型号：IRL7833PBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：94A（Tc=100°C）
　　脉冲漏极电流IDM：280A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：3.6mΩ @ VGS=10V, ID=47A
　　导通电阻RDS(on)：4.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=47A
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V（典型值1.5V）
　　输入电容Ciss：3080pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：1040pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间trr：26ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET-Mini (5x6)

特性

IRL7833PBF具备多项先进特性，使其在同类N沟道MOSFET中表现出色。首先，其极低的导通电阻RDS(on)是该器件的核心优势之一，在VGS=10V条件下仅为3.6mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。这一特性对于大电流应用尤为重要，例如在服务器电源、笔记本电脑VRM（电压调节模块）或电池管理系统中，能够有效减少发热并提升能效。
　　其次，该器件采用了DirectFET?封装技术，这种创新的表面贴装封装不仅体积小巧（5mm x 6mm），而且具备卓越的热传导性能。封装结构允许从顶部和底部同时进行散热，极大增强了热管理能力，使得器件即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　此外，IRL7833PBF优化了栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），降低了开关过程中的驱动损耗，有助于实现高频开关操作下的高效率。这对于现代高频率DC-DC转换器尤其关键，能够在减小外围元件尺寸的同时维持高转换效率。
　　该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，表明其在瞬态过压或电感负载切换过程中具备一定的鲁棒性。结合宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），使其适用于工业级甚至部分严苛环境下的应用。内置的体二极管也经过优化，具备较低的反向恢复时间（trr=26ns），可减少反向恢复损耗，避免因换流引起的电压尖峰问题。
　　最后，作为一款符合RoHS标准的环保型器件，IRL7833PBF采用无铅焊接工艺，支持现代自动化贴片生产线的要求，便于大规模生产集成。综合来看，这些特性使IRL7833PBF成为高性能电源设计中的理想选择。

应用

IRL7833PBF广泛应用于多种高效率电源系统中。它常用于同步整流式DC-DC降压转换器中作为下管或上管，特别是在多相供电架构中用于CPU、GPU或ASIC的电压调节模块（VRM），因其低RDS(on)和优良的热性能可有效降低功耗并提升动态响应能力。此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，如在便携式设备中实现电池供电管理或多电源域切换。
　　在服务器和通信电源系统中，IRL7833PBF可用于中间总线转换器（IBC）或POL（Point-of-Load）稳压器，提供高效的电压转换解决方案。其高电流承载能力和快速开关特性也使其适用于电机驱动中的H桥电路或小型直流电机控制场合。
　　由于其优异的热性能和紧凑封装，该器件非常适合空间受限但功率密度要求高的应用场景，例如超薄笔记本电脑、嵌入式计算平台、网络交换机和路由器等。同时，在电池管理系统（BMS）中也可用于充放电通路的主控开关，确保低损耗和高可靠性运行。