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IRL7486MTRPBF 发布时间 时间:2025/5/20 20:40:54 查看 阅读:1

IRL7486MTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管,采用小型表面贴装封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用场合。
  这款MOSFET通过优化的制造工艺实现了更低的导通损耗和更高的效率,同时具备出色的热性能和电气稳定性。其设计注重在中低电压应用场景下的高效表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):5.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  总电容(输入电容):1980pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRL7486MTRPBF 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高度稳定的电气特性,在宽温度范围内表现出色。
  4. 小型化封装设计,易于集成到紧凑型电路板中。
  5. 支持大电流负载能力,适应多种功率需求。
  6. 良好的热稳定性和可靠性,能够承受较高的环境温度。

应用

IRL7486MTRPBF 的典型应用包括:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 汽车电子中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电池管理系统中的保护和控制功能。

替代型号

IRL7487TRPBF, IRL7488TRPBF

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IRL7486MTRPBF参数

  • 现有数量4,465现货
  • 价格1 : ¥20.59000剪切带(CT)4,800 : ¥9.06001卷带(TR)
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)209A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.25 毫欧 @ 123A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)111 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6904 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DirectFET? Isometric ME
  • 封装/外壳DirectFET? Isometric ME