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IRL640APBF 发布时间 时间:2025/7/1 3:47:34 查看 阅读:10

IRL640APBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO) 封装。该器件由Infineon Technologies(前身为International Rectifier)生产,适用于多种开关和功率管理应用。这款MOSFET以其低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度著称,适合于高效能电源转换、电机驱动以及负载切换等场景。
  该器件的栅极阈值电压较低,便于使用逻辑电平信号直接驱动,简化了电路设计。

参数

最大漏源电压(Vdss):100V
  最大连续漏极电流(Id):39A
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):115W
  工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRL640APBF的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 逻辑电平兼容栅极驱动,降低了对复杂驱动电路的需求。
  5. 良好的热性能,适合高功率密度设计。
  6. 小型表面贴装封装,易于安装和散热管理。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 直流-直流转换器和降压/升压变换器。
  3. 电机驱动电路,特别是无刷直流(BLDC)电机控制。
  4. 电池管理和保护电路。
  5. 负载开关和固态继电器。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  7. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。

替代型号

IRL640G, IRL640S, FDP5500, AO3400

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