IRL640APBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO) 封装。该器件由Infineon Technologies(前身为International Rectifier)生产,适用于多种开关和功率管理应用。这款MOSFET以其低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度著称,适合于高效能电源转换、电机驱动以及负载切换等场景。
该器件的栅极阈值电压较低,便于使用逻辑电平信号直接驱动,简化了电路设计。
最大漏源电压(Vdss):100V
最大连续漏极电流(Id):39A
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):115W
工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRL640APBF的主要特性包括:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 逻辑电平兼容栅极驱动,降低了对复杂驱动电路的需求。
5. 良好的热性能,适合高功率密度设计。
6. 小型表面贴装封装,易于安装和散热管理。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 直流-直流转换器和降压/升压变换器。
3. 电机驱动电路,特别是无刷直流(BLDC)电机控制。
4. 电池管理和保护电路。
5. 负载开关和固态继电器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
IRL640G, IRL640S, FDP5500, AO3400