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IRL530NPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:33:09 查看 阅读:8

IRL530NPBF是一款N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET,由Infineon Technologies制造。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他功率管理应用中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,IRL530NPBF在高效能功率转换电路中表现出色。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:169W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRL530NPBF具有非常低的导通电阻,使其非常适合低功耗和高效率的应用场景。此外,它还具备快速开关速度和较低的输入电容,从而减少了开关损耗并提高了整体性能。
  该器件支持逻辑电平驱动,这意味着可以直接与标准CMOS或TTL逻辑输出接口连接,无需额外的驱动级。同时,其坚固的设计和高温工作能力确保了长期可靠性。
  此外,IRL530NPBF采用标准的TO-220封装,便于安装和散热管理。

应用

该MOSFET适用于多种功率电子应用,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、负载开关以及音频放大器中的保护电路等。由于其出色的热特性和电气性能,IRL530NPBF也是工业自动化设备的理想选择。

替代型号

IRL540N, IRLZ44N, FDP180N

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IRL530NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL530NPBF