IRL520NP是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件由英飞凌(Infineon)制造,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能功率应用的理想选择。
最大漏源电压:55V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
导通电阻:7.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:185W
工作结温范围:-55°C至+175°C
IRL520NP具有非常低的导通电阻,这有助于降低传导损耗并提高效率。同时,其高电流承载能力和快速开关速度使得它非常适合高频开关应用。
此外,该器件具备热稳定性强、ESD保护性能好等特点,并且支持逻辑电平驱动,简化了电路设计过程中的驱动需求。
这款功率MOSFET主要应用于消费电子、工业设备以及汽车领域。具体应用场景包括但不限于:
- 开关电源中的同步整流
- 电机驱动电路
- 负载开关
- DC-DC转换器
- 电池管理模块
由于其优异的性能,IRL520NP也被广泛用于需要高效率和小体积解决方案的设计中。
IRL520N, IRLZ44N, FDP16N05Z