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IRL40SC228 发布时间 时间:2025/3/25 14:10:50 查看 阅读:4

IRL40SC228 是一款增强型 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET,由 Vishay 公司生产。该器件采用 SO-8 封装形式,适用于多种中低电压应用场合。由于其较低的导通电阻和优异的开关性能,IRL40SC228 在电源管理、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。
  该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容标准 CMOS 和 TTL 逻辑电平,这使得它在各种电路设计中非常方便使用。此外,IRL40SC228 还具有较高的雪崩击穿能力,增强了系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏电流:16A
  最大脉冲漏电流:53A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ
  栅极阈值电压:1V~2V
  输入电容:1790pF
  总功耗:4.4W
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

IRL40SC228 提供了非常低的导通电阻 Rds(on),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  其逻辑电平兼容的栅极驱动使其可以直接与微控制器或其他数字电路接口配合使用,无需额外的驱动级。
  此外,该器件具有快速的开关速度,可降低开关损耗,非常适合高频开关应用。
  IRL40SC228 的高雪崩能量能力提高了其在瞬态条件下的鲁棒性,确保了在过压事件中的可靠运行。
  SO-8 封装提供良好的散热性能和紧凑的外形,便于 PCB 布局和安装。

应用

IRL40SC228 广泛应用于直流到直流转换器、开关模式电源 (SMPS)、电池供电设备、电机控制、LED 驱动器以及负载切换等领域。
  在汽车电子领域,它可以用于车身控制模块、电动座椅控制以及其他需要高效开关功能的应用场景。
  消费类电子产品中,例如笔记本电脑适配器、手机充电器和家用电器,也可以利用 IRL40SC228 来实现高效的功率管理。
  工业自动化系统中,这款 MOSFET 可以用于步进电机驱动、继电器控制和各种开关电源解决方案。

替代型号

IRLZ44N, SI4485DY

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IRL40SC228参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥35.06000剪切带(CT)800 : ¥21.98089卷带(TR)
  • 系列StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)557A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.65 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)307 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)19680 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)416W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB