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IRL3715ZSPBF 发布时间 时间:2025/5/28 23:22:19 查看 阅读:11

IRL3715ZSPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用PowerTrench技术制造。这款器件属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET,专为低导通电阻和高速开关应用而设计。
  该器件的封装形式为TO-263-3 (D2PAK),具有较高的电流承载能力和出色的热性能。其主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):1.8mΩ
  栅极电荷(典型值):67nC
  总电容(输入电容):1340pF
  功耗:360W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRL3715ZSPBF 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),确保在高电流应用中减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,使其适用于高频开关电路。
  3. 采用逻辑电平门极驱动,允许使用较低的驱动电压(如5V或更低),简化了与微控制器或其他数字电路的接口。
  4. 较宽的工作温度范围,适合各种恶劣环境下的应用。
  5. 具备出色的雪崩击穿能力和鲁棒性,增强了器件的可靠性。

应用

IRL3715ZSPBF广泛用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关。

替代型号

IRL3713TRPBF, IRL3714PBF

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IRL3715ZSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 10V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件