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IRL3714ZPBF 发布时间 时间:2025/7/1 3:45:36 查看 阅读:5

IRL3714ZPBF 是一款 N 沣道沟道功率 MOSFET,采用 Logic Level 设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。这款器件广泛应用于需要高效能、低功耗的场景中,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
  该器件由 Vishay 公司生产,属于 Siliconix 系列,以其出色的电气性能和可靠性著称。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:28nC
  总电容:1390pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  逻辑电平兼容:是

特性

IRL3714ZPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高效率。
  2. 逻辑电平栅极驱动,支持 5V 或更低的控制信号直接驱动。
  3. 较高的持续漏极电流能力,能够满足大电流应用需求。
  4. 快速开关性能,减少开关损耗,适用于高频应用。
  5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应多种环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  7. 表面贴装封装,易于自动化生产和组装。

应用

IRL3714ZPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
  2. 电池管理系统的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动和逆变器中的功率输出级。
  4. LED 驱动器中的电流调节和开关功能。
  5. 通信设备中的功率管理模块。
  6. 工业控制和家电产品中的高效率功率转换电路。
  7. 各种需要低导通电阻和快速开关特性的应用场景。

替代型号

IRL3714S, IRLZ37NPF, FDS8949

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IRL3714ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 10V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3714ZPBF