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IRL3705ZLPBF 发布时间 时间:2025/6/4 12:05:53 查看 阅读:5

IRL3705ZLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沯道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性,非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88,这种封装具备极低的寄生电感和优异的散热性能,从而进一步提升了其在功率转换应用中的表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻(Rds(on)):0.6mΩ
  栅极电荷:39nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  总功耗:210W

特性

IRL3705ZLPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,能够减少开关损耗并适合高频应用。
  3. 高额定电流能力(120A 连续漏极电流),支持大功率应用。
  4. LFPAK88 封装提供出色的热性能和电气性能。
  5. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 175°C),适应各种严苛环境下的使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

IRL3705ZLPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器和开关电源设计。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统和逆变器。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 各种需要低损耗和高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRL3803ZLPBF, IRL3704ZLPBF

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IRL3705ZLPBF产品

IRL3705ZLPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 52A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装TO-262
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3705ZLPBF