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IRL3303SPBF 发布时间 时间:2025/6/22 14:08:34 查看 阅读:4

IRL3303SPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道功率MOSFET。它采用TO-252 (DPAK) 封装形式,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理电路等。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于高效率的功率转换场景。
  这款MOSFET以其较低的栅极电荷和输出电容著称,从而降低了开关损耗,同时支持较高的工作频率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.9A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):6.5mΩ
  栅极电荷:4.5nC
  总电容(Crss):18pF
  功耗:32W
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

IRL3303SPBF具备低导通电阻,使其在大电流应用中表现出色,并且能显著减少传导损耗。此外,其优化的开关性能确保了低开关损耗,这使得它非常适合高频开关应用场景。
  该器件还具有出色的热稳定性和可靠性,能够承受恶劣的工作环境。通过将导通电阻保持在较低水平,可以有效降低功耗,提高整体系统效率。
  另外,其较小的封装尺寸有助于节省PCB空间,简化设计过程并提高布局灵活性。

应用

IRL3303SPBF广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
  - DC-DC转换器
  - 电池供电设备中的负载开关
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动
  - LED照明驱动
  - 计算机及外设中的电源管理
  其高频开关特性和低损耗表现使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

IRLZ34N, AO3400A, FDP16N03L

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IRL3303SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3303SPBF